新闻动态

News Updates

武芯烧录器支持SanDisk闪迪SDIN7DU2芯片编程烧录

武芯烧录器支持SanDisk闪迪SDIN7DU2芯片编程烧录

SDIN7DU2属于SanDisk iNAND系列,支持e.MMC 4.41接口。除了高可靠性和高系统性能,iNAND还支持即插即用集成、多种NAND技术转换以及先进的电源管理方案。

阅读全文 2026-10-20 11:50:07
武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58CVG0S3HxAIx芯片编程烧录

武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58CVG0S3HxAIx芯片编程烧录

TC58CVG0S3HxAIx 是TOSHIBA东芝的一款1Gbit面向嵌入式应用的串行接口 NAND Flash,支持 SPI 通信。武芯ET9800烧录器支持一拖八烧录,同时提供联机、脱机等工作模式,可全方位满足TOSHIBA东芝TC58CVG0S3HxAIx芯片的离线(裸片)烧录与在线(isp)烧录的量产需求。

阅读全文 2026-08-27 11:27:37
武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58BYG0S3HBAI6芯片编程烧录

武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58BYG0S3HBAI6芯片编程烧录

TC58BYG0S3HBAI6是东芝推出的1Gbit并行NAND闪存芯片,单一1.8V供电。页面由2048字节主数据区加64字节备用区构成,每块64页,共1024块;内置2112字节静态寄存器作为页面缓存,命令、地址与数据通过I/O引脚分时复用传输。芯片采用按页编程、按块擦除机制,内部控制器自动完成编程与擦除,适合固态存储、语音录制及图像存储等高密度非易失存储应用。武芯烧录器已支持该芯片的离线烧录需求。

阅读全文 2026-08-26 14:47:14
武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58NVG0S3CTA00芯片编程烧录

武芯烧录器支持TOSHIBA东芝TC58NVG0S3CTA00芯片编程烧录

TC58NVG0S3CTA00系列是TOSHIBA东芝的一款NAND E2PROM储存器。改器件采用3.3V单电源供电,容量为1 Gbit,其存储容量约为 1,107,296,256 位。较大的存储空间,非常适合用于需要海量数据存储的场景。

阅读全文 2026-08-25 00:18:23
© 2022 武汉武芯科技有限公司 版权所有 鄂ICP备2020016162号-1
在线客服
返回顶部