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武芯烧录器支持SanDisk闪迪SDIN7DU2芯片编程烧录

发布时间:2026-10-20 11:50:07 访问量:39

SDIN7DU2属于SanDisk iNAND系列,支持e.MMC 4.41接口。除了高可靠性和高系统性能,iNAND还支持即插即用集成、多种NAND技术转换以及先进的电源管理方案。它使用先进的多级单元MLC NAND闪存技术,并通过SanDisk嵌入式闪存管理软件增强,该固件运行在闪存控制器上。iNAND的架构和嵌入式固件完全模拟硬盘给主处理器,实现与标准基于扇区的硬盘相同的读写操作。背后还用了专利方法,比如虚拟映射、动态和静态磨损均衡及自动块管理,确保高数据可靠性并最大化闪存寿命。对烧录来说,这意味着不能只按裸NAND的页、块、备用区思路去操作,而要按e.MMC协议、扇区寻址、分区配置、控制器命令来执行。

IN7DU2.png

图片来源SanDisk闪迪官网

SanDisk iNAND提供最多64GB的存储容量,用于大容量存储应用。除了专为大容量存储设计的闪存芯片,iNAND还包含一个智能控制器,管理接口协议、数据存储与检索、纠错码ECC算法、缺陷处理与诊断、电源管理及时钟控制。iNAND可支持音乐、照片、视频、电视、GPS、游戏、电子邮件、办公等多媒体应用。卓越的性能和设计使iNAND成为移动手机厂商、便携导航设备及汽车信息娱乐行业厂商的理想方案,他们需要易于集成、快速上市及大容量存储的产品。


主要特性:

SanDisk iNAND,带 MMC 接口,功能包括:内存控制器和 NAND 闪存符合 e.MMC 规范 Ver. 4.412机械设计符合 JEDEC MO-276C 规范提供三种 e.MMC 4.413 的 TFBGA 封装11.5mm x 13mm x 1.0mm(8GB, 16GB)11.5mm x 13mm x 1.2mm(32GB)11.5mm x 13mm x 1.4mm(64B)

工作温度范围:–25°C 到 +85°C双电源系统

核心电压 (VCC) 2.7-3.6v

I/O (VCCQ) 电压,可选:1.7-1.95v 或 2.7-3.6v ·

数据存储容量最高可达64GB ·

支持三种数据总线宽度:1位(默认)、4位、8位 ·

可变时钟频率:0-20 MHz、0-26 MHz(默认)、0-52 MHz(高速) · 使用8条并行数据线在52 MHz、DDR模式下,最高104 MB/sec总线传输速率 ·

内存字段错误校正·

适用于需要高性能和可靠数据存储的便携及固定应用

SDIN7DU2.png

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商,专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时,也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录,同时提供联机、脱机等工作模式,可全方位满足SanDisk iNAND系列SDIN7DU2芯片裸片离线烧录需求。

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ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计,编程带宽高达1.6Gb/s;内置128GB eMMC母头模块,能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率;配备4.3英寸LCD触摸屏,优化脱机操作的交互体验;支持“一拖八”并行烧录,可实现复杂多样的烧录需求;且设备集成多种丰富接口,涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等,灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件,支持自动化场景定制,适配智能化产线需求;支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片,烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片(IC)烧录解决方案。




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