K9F2G08U0C系列是SAMSUNG的一款具有64M-bit备用区的2G-bit NAND 闪存。采用 256Mx8 位的配置，其 NAND 单元专为固态应用市场提供存储解决方案。在典型状态下，K9F2G08U0C系列编程操作仅需 250μs 就能在 (2K 64) 字节页面上完成，使得数据能够迅速且精准地写入指定页面。在 (128K 4K) 字节块上，仅需 2ms 就能完成擦除操作，快速的数据擦除功能为数据的更新和管理提供了极大的便利。不仅如此，数据寄存器中的数据读取速度，每字节仅需 25ns 就能读取出来。为用户带来丝滑流畅的数据访问体验。

智能片上写入控制器

片上写入控制器它可自动化处理所有编程和擦除功能，在执行编程和擦除任务时，它不仅能在必要时刻自动进行脉冲重复，对数据进行全面的内部校验和精心的裕量处理，以确保操作的准确性和稳定性。这种智能化的控制机制，让芯片在数据存储和管理过程中更加自主、高效，大幅减少了外部干预的繁琐环节，从而显著提升了芯片的整体性能和运行效率。

强大的可靠性保障

K9F2G08U0C通过搭载 ECC（错误纠正码）和实时映射算法，它实现了数据的全方位保护，充分利用 100K 次编程 / 擦除周期的扩展可靠性。ECC时刻监测数据在传输和存储过程中的任何错误，并迅速进行纠正，确保数据始终保持完整无缺。实时映射算法则根据数据的使用频率和存储需求，智能优化数据存储布局，进一步提升存储系统的可靠性和稳定性。

多功能I/O 引脚

K9F2G08U0C系列的I/O 引脚，它是集地址和数据的输入 / 输出端口以及命令输入功能于一身。不仅极大地简化了芯片与外部设备之间的连接方式，减少了引脚数量，降低了电路设计的复杂程度，还显著增强了芯片在不同系统架构中的适应能力。

凭借这些特性，K9F2G08U0C系列广泛适用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用中，为数据的长期稳定存储提供了坚实可靠的支持。

主要特性

3.3V 设备(K9F2G08U0C)：2.70V ~ 3.60V 

存储单元阵列：(256M 8M) x 8位 

数据寄存器：(2K 64) x 8位 

页编程：(2K 64)字节 

块擦除：(128K 4K)字节 

页大小：(2K 64)字节 

随机读取：最大40μs 

串行访问：最小25ns

页编程时间：250μs（典型值） 

块擦除时间：2ms（典型值）

命令/地址/数据多路复用 I/O 端口 

TSOP1 63 FBGA

电源转换期间的编程/擦除锁定 

可靠的CMOS 漂浮栅技术 

ECC 要求：1 位 / 528 字节

封装：K9F2G08U0C-SCB0/SIB0：无铅封装 48 引脚 TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm 间距) K9F2G08U0C-HCB0/HIB0：无铅封装 63 球 FBGA (9 x 11 / 0.8 mm 间距)