K9F1G08R0B 系列作为SAMSUNG 的一款1G位的NAND闪存，它提供128Mx8 位配置，并具备 32M - bit 备用空间，满足固态大容量存储需求。在数据处理速度方面，程序操作可在典型 200µs 内完成于 (2K 64) 字节页面，能够快速将数据写入指定页面。擦除操作同样高效，可在典型 1.5ms 内完成于 (128K 4K) 字节块，确保存储设备能够迅速响应数据的变动。而数据寄存器中的数据可以每字节 42ns 的周期时间读取，使得数据读取速度极快，无论是在快速检索文件，还是实时调用数据的场景下，都能迅速满足需求，为用户带来流畅的使用体验。

智能的片上写入控制

内置片上写入控制器，能自动执行所有编程和擦除功能。它不仅能在必要情况下进行脉冲重复操作，确保编程和擦除的准确性，还能对数据进行内部验证和裕度评估，全方位保障数据的完整性和可靠性。这种智能化的控制机制，，减少了外部干预的复杂性，提升了整体性能。

灵活的引脚功能设计

该芯片的I/O 引脚既用于地址和数据输入 / 输出，又用于命令输入。这种多功能的引脚配置，简化了芯片与外部设备的连接方式，减少了引脚数量，降低了电路设计的复杂度。同时，这种设计也增强了芯片的适应性，使其能够更好地融入不同的系统架构，满足多样化的应用需求。

出色的可靠性保障

即使面对写入密集型系统，K9F1G08R0B 也能凭借其 100K 次编程 / 擦除循环的扩展可靠性，配合带有实时映射算法的 ECC（错误校正码），展现出强大的稳定性。尤其适用于固态文件存储以及其他需要非易失性存储的便携式应用，如移动硬盘、固态硬盘以及各类手持设备的存储模块等，为数据的长期保存和稳定使用提供了坚实保障。

总之，无论是大规模存储部署还是个人消费存储设备的制造，K9F1G08R0B 系列在性能、可靠性和成本之间达到了出色的平衡，使得在满足高性能存储需求的同时，不会给用户带来过高的成本负担。

主要特性

1.8V器件(K9F1G08R0B)：1.65V ~ 1.95V 

页编程时间：200µs(典型值)

块擦除时间：1.5ms(典型值)

存储单元阵列：(128M × 4M) × 8位 

数据寄存器：(2K × 64) × 8位 

页编程：(2K × 64)字节 

块擦除：(128K × 4K)字节 

页大小：(2K × 64)字节 

随机读取：25µs(最大) 

串行访问：42ns(最小) 

指令/地址/数据复用I/O端口 

电源转换期间的编程/擦除锁定 

可靠的CMOS浮栅技术 

耐久性：100K编程/擦除周期(带1bit/512Byte ECC) 

数据保持时间：10年

用于版权保护的唯一ID 

封装：- K9F1G08R0B-JCB0/JIB0：无铅封装 63球 FBGA I (9 × 11 / 0.8mm间距)

内部框图