武芯烧录器支持SAMSUNG K9F2G08UXA系列芯片编程烧录
发布时间:2026-06-02 15:55:53
K9F2G08UXA系列是SAMSUNG的一款具有256Mx8位配置、配备2G位NAND闪存,并备有64M位。其 NAND 单元更是为固态应用市场提供了极具成本效益的解决方案。程序操作在(2K 64)字节页上,正常情况下仅需 200 微秒就能完成,大大提高了数据写入效率。。而擦除操作在(128K 4K)字节块上,通常 1.5 毫秒内就能搞定,让存储设备能够迅速响应数据的变动。数据寄存器中的数据读取速度以每字节仅需 25 纳秒(1.8 伏器件为 42 纳秒)就能完成读取。
该芯片的I/O引脚既是地址和数据输入/输出的端口,也是通信输入的端口。极大地简化了芯片与外部设备的连接方式,减少了引脚数量,降低了电路设计的复杂度。同时,也增强了芯片的适应性,使其能够轻松融入各种不同的系统架构,满足多样化的应用需求。
片上写控制器自动化处理所有程序和擦除功能,它不仅能在需要时进行脉冲重复,确保编程和擦除的准确性,还能对数据进行内部验证和边距管理。即使是写入密集型系统,它利用自身扩展的100K 程序 / 擦除周期能力,通过提供带有实时映射算法的 ECC(纠错码),进一步提高存储系统的可靠性和稳定性。
凭借这种强大的可靠性保障,K9F2G08X0A 成为大型非易失性存储应用(如固态文件存储)及其他需要非易失性应用的最佳选择,为数据的长期稳定存储提供了坚实的后盾。
主要特性
电压供应:1.65V ~ 1.95V 、2.70V ~ 3.60V
页面程序时间:200微秒(典型)
块擦除时间:1.5毫秒(典型)
FBGA TSOP1 52ULGA
命令/地址/数据复用I/O端口
存储单元阵列:(256M 8M) x 8位
数据寄存器:(2K 64) x 8位
分页程序:(2K 64)字节
块擦除:(128K 4K)字节
页面大小:(2K 64) 字节
随机读取:最大25微秒
串行访问:25ns(最小)
可靠的CMOS浮栅技术
耐久性:100K 程序/擦除周期(1位/512字节ECC)-
数据保留:10年
智能回抄,内部1位/528字节EDC
唯一ID版权保护
封装:- K9F2G08R0A-JCB0/JIB0 :无铅封装63 - 球形FBGA I(10 x 13 / 0.8 mm间距)- K9F2G08U0A-PCB0/PIB0 :无铅封装48 - 引脚 TSOP I(12 x 20 / 0.5 mm 间距) - K9F2G08U0A-ICB0/IIB0 52 - 引脚 ULGA(12 x 17 / 1.00 mm 间距)

内部框图
武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商,专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时,也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录,同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG的K9F2G08UXA系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计,编程带宽高达1.6Gb/s;内置128GB eMMC母头模块,能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率;配备4.3英寸LCD触摸屏,优化脱机操作的交互体验;支持“一拖八”并行烧录,可实现复杂多样的烧录需求;且设备集成多种丰富接口,涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等,灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件,支持自动化场景定制,适配智能化产线需求;支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录,为客户提供创新的多场景芯片(IC)烧录解决方案。